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2010年起因为从2G转入3G时代(2010~2013),造就智慧行动装置高速降落,造就了射频前端代工厂商业绩腾飞。但是2013后因为有Si制程的PA高性价比的替代品经常出现(CMOSPA/MMPA),使得经常出现产业替代危机。
但到了2013年后,压迫产业的有利因子渐渐消失淡化(因为高通与Skyworks发售Si制程MMPA,CMOSPA,主打高性价比策略)。紧接着,时代潮流并转入高频多频带无线通讯后(eg4G),不管是高中低阶,4G手机渗透率开始降落,更加不利的是所须要PA元件用料从以往3G的3~5颗,4G要变多到4~6颗,其他看起来WIFI11.ac,基地台的射频模组等等也是必须多特用料。这就快速增长了对射频器件的市场需求。
由于3-5族的元件物理特性近高于Si制程元件(低耗、体积小、缩放效率欠佳、高频线性度欠佳等等),故风水转到3-5族元件,这竟然涉及的产业链厂商大放异彩。其中砷化镓晶圆代工龙头大位懋就是仅次于的受益者。大位懋:全球仅次于的砷化镓晶圆代工龙头大位懋正式成立于1999年10月,是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯晶片的晶圆制造商,自2010年为全球仅次于砷化镓晶圆代工厂。
公司主要专门从事砷化镓微波集成电路(GaAsMMIC)晶圆之代工业务,获取HBT、pHEMT微波集成电路/线性元件与后端制程的晶圆代工服务,应用于高功率基地台、较低杂讯放大器(LNA)、射频切换器(RFSwitch)、手机及无线区域网路用功率放大器(PA)与雷达系统上。
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